| 专利名称 | 隔离结构以及半导体结构的形成方法 | 申请号 | CN201110195439.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102881625A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 隔离结构以及半导体结构的形成方法 至隔离结构以及半导体结构的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及隔离结构以及半导体结构的形成方法。隔离结构的形成方法包括以下步骤：提供（110）晶面或（112）晶面的硅衬底并确定该硅衬底的[111]方向；通过湿法腐蚀所述硅衬底在所述硅衬底中形成第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向与[111]方向基本上垂直；利用第一绝缘材料填充所述第一沟槽以形成第一隔离结构；通过干法刻蚀所述硅衬底在所述硅衬底中形成第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直；利用第二绝缘材料填充所述第二沟槽以形成第二隔离结构。 |
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