| 专利名称 | 使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010227256.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315224A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 专利有效期 | 使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 至使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括：半导体鳍片，位于绝缘层上方；沟道区，位于所述半导体鳍片的中间；源/漏区，位于所述半导体鳍片两端；浮栅，位于所述半导体鳍片的第一侧，并朝着远离所述半导体鳍片的方向延伸；以及第一控制栅，位于所述浮栅的顶部或围绕所述浮栅的顶部和侧壁。该非易失性存储器减小了短沟道效应的影响，可以提高存储密度，并且可以低成本地制造。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障