| 专利名称 | 籽晶层辅助的表面织构化氧化锌透明导电薄膜及制备方法 | 申请号 | CN201010217130.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102312192A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;万冬云 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 籽晶层辅助的表面织构化氧化锌透明导电薄膜及制备方法 至籽晶层辅助的表面织构化氧化锌透明导电薄膜及制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种籽晶层辅助的表面织构化氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。本发明借助衬底上氧化锌籽晶层或掺杂氧化锌籽晶层的辅助，将掺杂氧化锌薄膜沉积过程中同时发生的成核/生长过程分离成两个独立的阶段，即形成高定向、致密籽晶层和以该籽晶层为起始晶核快速生长出表面粗糙的织构化薄膜。本发明制备的氧化锌薄膜具有独特特点的高度织构化表面(更好的陷光或光捕获效应)，其透明导电性能远优于同类文献报道。本发明简单易行、制造成本低，适于大规模生产，能与太阳电池制备工艺匹配，在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。 |
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