| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010223481.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315266A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括在半导体衬底上形成的半导体器件，半导体器件包括：应力传递层，位于源/漏区和栅堆叠上方；开口，形成在应力传递层中栅堆叠的上方，或源区和漏区的上方；相变材料填充物，填充开口；以及约束层，位于应力传递层和开口上方，其中，应力传递层用于将相变材料填充物在相变过程中的体积变化转变成作用在沟道区上的应力，并且约束层用于约束相变材料填充物的自由体积变化。本发明适合于在半导体中实现应力增强。 |
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