| 专利名称 | 一种去除高熔点黏附剂的方法 | 申请号 | CN201010223347.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102310059A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种去除高熔点黏附剂的方法 至一种去除高熔点黏附剂的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法，该方法采用从320℃～50℃的梯形依次递减的温度层次，兼容各种熔点有机黏附剂的去除，使用时可以合理组合各个温度层次，并可以随时调节相应需要的pH值，操作使用无毒性，无污染，绿色，环保，能够有效应用于各种有机黏附剂的去除，减少了黏附剂残渣对材料和设备的污染，为半导体后道工艺提供了可靠的工艺手段。 |
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