| 专利名称 | 太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法 | 申请号 | CN200710043823.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101345395 | 公开（授权）日 | 2009.01.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 曹俊诚;黎华;韩英军 | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01L21/3063(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;C23F1/16(2006.01)I | 专利有效期 | 太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法 至太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，首先采用光刻显影制作腐蚀掩膜、 坚膜，然后用稀盐酸去除器件材料表面的氧化膜，再将器件材料用相应的夹具固定放入盛有 稀释的硫酸腐蚀液的器皿中，并采用磁力搅拌器进行湿法腐蚀，当腐蚀结束后，迅速将器件 材料从腐蚀液中取出，用过量的去离子水冲洗，然后用高纯氮气吹干，再将器件材料放入丙 酮溶液中去除表面的光刻胶掩膜后，进行台阶仪测试以确定腐蚀深度，如此可使腐蚀方便快 捷，且由于腐蚀速率低，可更容易控制腐蚀深度，特别是在腐蚀深度深，腐蚀时间长的情况 下，其优势显得格外突出。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障