| 专利名称 | 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 | 申请号 | CN201110340553.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102361010A | 公开（授权）日 | 2012.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 至一种T型栅HEMT器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀，在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场，进而降低漏压，使得器件的击穿电压升高。 |
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