| 专利名称 | 低功耗相变存储单元及其制备方法 | 申请号 | CN201210300829.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102779941A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吕业刚;宋三年;宋志棠;吴良才;饶峰;刘波 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 低功耗相变存储单元及其制备方法 至低功耗相变存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种低功耗的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括上下两个电极，该上下两个电极中至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。本发明还提供了制作低功耗相变存储器的方法，本发明所制作的相变存储器有效地将焦耳热抑制在相变材料区域，提高了加热效率，降低了器件功耗。 |
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