| 专利名称 | 用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法 | 申请号 | CN201110306843.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102361063A | 公开（授权）日 | 2012.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吕业刚;宋三年;彭程;饶峰;宋志棠;刘波;吴良才 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法 至用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是一种由铜、锑、碲三种元素组成的材料，其通式为CuxSbyTez，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤y≤85。这种材料可以通过调节材料中三种元素的含量得到不同结晶温度、熔点和结晶速率，适当调节Cu-Sb-Te中元素比例，进而可以得到比传统的Ge2Sb2Te5(GST)具有更高的结晶温度、更好的热稳定性、更低的熔点和更快的结晶速度。另外，铜互联是目前超大规模集成电路中的主流互联技术，该技术的广泛应用使得Cu元素的加工工艺趋向成熟，因而本发明的Cu-Sb-Te相变材料易于加工，与COMS兼容性好。 |
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