| 专利名称 | 一种激光基质晶体材料及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201110350989.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102400223A | 公开（授权）日 | 2012.04.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 徐军;郑丽和;王庆国;苏良碧;李红军 | 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/34(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种激光基质晶体材料及其制备方法和应用 至一种激光基质晶体材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种激光基质晶体材料及其制备方法和应用。所述的晶体材料具有如下通式：(ScxY1-x)2SiO5，其中0＜x＜1。该晶体材料的制备包括如下步骤：首先按照化学计量比称取各组分，混合均匀并压制成型，然后进行煅烧；再采用提拉法进行晶体生长。本发明提供的激光基质晶体材料具有负折射率温度系数，能够有效解决现有的激光基质晶体材料存在的热透镜效应的缺陷问题，而且具有优良的热力学性能，可应用于制备激光二极管或泵浦的波长可调谐或超短脉冲的全固态激光器；另外，本发明的制备方法简单，制备周期短，使用的原料价廉易得，且无需特殊设备，适合规模化生产，具有工业应用价值。 |
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