一种敏感吸附膜及其制造方法

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专利名称 一种敏感吸附膜及其制造方法 申请号 CN201110122282.9 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102774064A 公开(授权)日 2012.11.14 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 李冬梅;刘明;谢常青;闫学峰;叶甜春 主分类号 B32B9/04(2006.01)I IPC主分类号 B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I 专利有效期 一种敏感吸附膜及其制造方法 至一种敏感吸附膜及其制造方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种声表面波气体传感器上的敏感吸附膜及其制造方法,其中,所述敏感吸附膜,设置于声表面波气体传感器上相邻插指换能器之间的压电薄膜上,包括:沉积于所述压电薄膜上的三层金属薄膜,所述三层金属薄膜依次为BiO2薄膜、Bi薄膜及BiO2薄膜。通过本发明实施例,可以提高声表面波气体传感器上该敏感吸附膜对NO2气体的敏感性和选择性。

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