| 专利名称 | 一种具有石墨烯结构的非晶碳膜及其制备方法 | 申请号 | CN201210184049.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102774065A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 柯培玲;汪爱英;张学谦 | 主分类号 | B32B9/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B32B9/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有石墨烯结构的非晶碳膜及其制备方法 至一种具有石墨烯结构的非晶碳膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有新型特殊结构的非晶碳膜，该非晶碳膜分为上下两层，下层是非晶碳膜，上层位于下层表面、是厚度约为0.5～10nm的多层石墨烯结构薄膜，这为制备石墨烯提供了一种全新的思路。采用磁控溅射沉积法，包括高功率脉冲磁控溅射沉积或普通直流磁控溅射沉积，以高纯石墨为靶材，通过调节衬底负偏压、脉冲磁控溅射电压等参数，在惰性气体保护氛围中，在衬底上溅射沉积0.5～180min而得到该表面具有多层石墨烯结构的非晶碳膜。与现有的石墨烯制备技术相比，本发明能够简单、高效地制得大面积石墨烯，并且工艺环保、对衬底要求较低、无需催化剂、低温沉积、成本低，因此具有重要潜在的研究应用价值。 |
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