| 专利名称 | CdTe/ZnSe量子点的制备方法 | 申请号 | CN201010275996.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102399559A | 公开（授权）日 | 2012.04.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 胡德红;蔡林涛;张鹏飞;龚萍 | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/88(2006.01)I | 专利有效期 | CdTe/ZnSe量子点的制备方法 至CdTe/ZnSe量子点的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种CdTe/ZnSe量子点的制备方法，包括如下步骤：分别制备Te前体溶液、Se前体溶液、Zn前体溶液和Cd溶液；向加热至250℃～300℃的Cd溶液中加入Te前体溶液，并降温至200℃～280℃，得到CdTe量子点；150℃～260℃的温度条件下，向所述CdTe量子点中加入Zn前体溶液，反应1～60min后，再加入Se前体溶液，升温至160℃～350℃反应0.5h～12h，得到CdTe/ZnSe量子点。上述CdTe/ZnSe量子点的制备方法通过前体溶液的连续加入的方法合成了以CdTe为内核的量子点，并在其表面形成了连续、致密、厚度可控制且均匀增长的ZnSe外壳，只需要通过连续加入前体溶液即可，因此在制备过程中具备了设备简单、操作简便、成本低廉、反应时间短、反应条件温和、重现性好、低毒的优点。 |
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