| 专利名称 | 一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法 | 申请号 | CN201110114635.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102765940A | 公开（授权）日 | 2012.11.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈健;黄政仁;刘学建;高剑琴 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法 至一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法。碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤：1）以SiC粉体、B4C粉体、球形PMMA和酚醛树脂为原料；2）将所述原料配成固含量为40-45wt%的浆料，进行球磨混合；3）将球磨混合后的浆料烘干，再研磨粉碎后过筛，将得到的粉体干压成型；4）将成型后的样品真空脱粘后，在常压惰性气氛条件下烧结，烧结温度为1900-2300℃，保温时间为1-2h。所制得的陶瓷材料不但具有良好的摩擦性能，并且具有较高的密度及抗弯强度。 |
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