| 专利名称 | 一种制备三维超导微纳器件的方法 | 申请号 | CN201110113222.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102765696A | 公开（授权）日 | 2012.11.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 李无瑕;崔阿娟;顾长志 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种制备三维超导微纳器件的方法 至一种制备三维超导微纳器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备三维超导微纳器件的方法，涉及三维微纳器件技术，其包括步骤：(1)超导电极接触块及/或连线的生长；(2)将步骤(1)中加工好的样品的放置与固定；(3)将固定于样品托上的样品放入离子束设备真空腔内的样品台上；(4)在超导电极接触块或连线上自由站立的超导微纳米的生长；(5)对(4B)中制备的微纳米材料的形变操纵；(6)得成品。本发明的制备方法，基于离子束辐照对自由站立的纳米材料的形变操纵来制备不位于支撑衬底平面内的超导微纳结构，形成与支撑衬底平面成一定夹角的三维超导微纳器件，工艺灵活、效率高、可控性好。 |
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