| 专利名称 | 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 | 申请号 | CN201110116103.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102769033A | 公开（授权）日 | 2012.11.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵超;罗军;陈大鹏;叶甜春 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 至具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种HEMT，包括衬底、所述衬底上的缓冲层、所述缓冲层上的第一带隙材料层、所述第一带隙材料层上的第二带隙材料层、连接所述第一带隙材料层的源漏电极以及连接所述第二带隙材料层的栅电极，其特征在于：所述衬底为绝缘体衬底上的外延硅层，其中所述外延硅层生长在埋入衬底中的局部非晶态介质材料上。依照本发明的HEMT及其制造方法，由于器件形成在超薄的局部SOI衬底上，即便施加较高的源漏电压也难以在超薄的外延硅层中沿水平方向形成横向击穿，而在垂直方向由于非晶态的埋入绝缘层的阻断，纵向击穿也难以发生，因此依照本发明的HEMT可大幅提高器件的击穿电压，从而提高器件的可靠性。 |
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