| 专利名称 | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其光吸收层的制备方法 | 申请号 | CN201110331329.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102354711A | 公开（授权）日 | 2012.02.15 | 申请（专利权）人 | 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 肖旭东;杨春雷;刘壮 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其光吸收层的制备方法 至铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其光吸收层的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和金属栅电极层，所述光吸收层的禁带宽度在厚度方向上呈中间平、两侧逐渐升高的梯形分布。这种梯形禁带结构能够在更大的光谱范围内吸收太阳光以保证光吸收层能更充分地吸收太阳能，从而可以提高光吸收率，同时梯形禁带结构产生向光吸收层两侧变化的电势差，能够同时保证短路电流和有效提高开路电压，使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件获得较高的光吸收率和优良的电学性质。此外，还提供两种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的光吸收层的制备方法。 |
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