| 专利名称 | 一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法 | 申请号 | CN201110282032.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102354085A | 公开（授权）日 | 2012.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 陈漪恺;张斗国;王向贤;傅强;王沛;明海 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法 至一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于导模干涉的超分辨直写光刻机及其光刻方法，该光刻机包括：激光光源，近端反射镜，偏振元件组，光刻胶，金属薄膜，玻璃基底，匹配油，棱镜和远端反射镜；激发光源发出的激光束激发光刻胶层前向传播的导模，经金属薄膜与玻璃基底的分界面反射的激光，通过右侧的远端反射镜反射后，再次入射到上述分界面，并激发光刻胶层后向传播的导模；两束导模在光刻胶层相互干涉形成周期场，曝光光刻胶，经显影、定影等后续工艺处理，便可在金属薄膜上实现高宽比、长宽比均较大的大面积亚波长光栅的制备；本发明基于激光激发的导波模式，其损耗小、传输距离长，能实现高宽比、长宽比均较大的亚波长光栅的大面积刻写。 |
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