| 专利名称 | 串联ggNMOS管及制备方法、多VDD-VSS芯片 | 申请号 | CN201110130029.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102790047A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 串联ggNMOS管及制备方法、多VDD-VSS芯片 至串联ggNMOS管及制备方法、多VDD-VSS芯片 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种串联ggNMOS管及制备方法、多VDD-VSS芯片。所述串联ggNMOS管包括串联ggNMOS管、虚拟栅。所述串联ggNMOS管由制作在半导体基底上的两个NMOS管串联形成；所述虚拟栅置于所述串联ggNMOS管的上nmos管的源区与所述串联ggNMOS管的下nmos管的漏区之间。本发明提供的串联ggNMOS管，具有更高的击穿电压Vt1，能够满足更高电压的ESD保护需求。 |
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