| 专利名称 | 一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法 | 申请号 | CN201110192259.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102351569A | 公开（授权）日 | 2012.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙旺宁;李俊杰;夏晓翔;田士兵;顾长志 | 主分类号 | C04B41/53(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B41/53(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法 至一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法：将硅片放入ICP系统中，在基础真空1.0×10-6Torr，温度-100℃～-140℃，气体流量比(SF6/O2)36/22-44/14，气压6＝25mTorr，RIE功率3-6W和ICP功率800-1000W的条件下，在硅片表面得到纳米锥状阵列结构。本发明采用低温刻蚀技术，无需掩模工艺，直接刻蚀制备大面积具有超抗反射特性的硅表面纳米锥阵列结构，并且通过调节和控制相应参数，实现对纳米锥结构形貌的调控。 |
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