| 专利名称 | 单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法 | 申请号 | CN200710043822.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101345393 | 公开（授权）日 | 2009.01.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 曹俊诚;黎华;韩英军 | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/00(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法 至单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法，其首先利用气态源分子束外延设 备在半绝缘的GaAs衬底依次生长GaAs缓冲层、N型GaAs下波导层、多量子阱级联有源区、 加强辅助注入层、N型GaAs上接触层，然后采用光刻显影以及热蒸发的方法，制作上波导(电 极)Au层，再采用光刻显影以及湿法腐蚀的方法制作出脊形结构，接着采用光刻显影以及热 蒸发的方法制作下电极，然后快速热退火，并按照设计规格解理出高质量的管芯，最后完成 管芯的封装。 |
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