| 专利名称 | 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法 | 申请号 | CN201110151803.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820209A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 张苗;张波;薛忠营;王曦 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法 至一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高K介质埋层的绝缘体上材料的制备方法，通过在沉积态的高K介质材料上沉积金属材料并结合退火工艺，使高K介质材料的微观结构由沉积态转变为单晶，从而使高K介质材料有了更好的取向，并通过选择性腐蚀的方法彻底去除不需要的金属材料，沉积半导体材料，最终可得到高质量的绝缘体上材料。采用本发明方法所形成的绝缘体上材料,由于具有高质量的超薄高K介质材料作为埋层,可以更好的控制器件的短沟道效应，为下一代的CMOS器件提供候选的衬底材料。 |
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