| 专利名称 | 避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置 | 申请号 | CN201110157046.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820207A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李春龙;王桂磊;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置 至避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置，用于确保热氧化生长过程中二氯乙烯通过N2的携带方式正常通入所述氧化炉管内，对于每个含有二氯乙烯的工艺制程，采集其二氯乙烯重量减少的数据，如所述二氯乙烯重量减少的数据在正常值范围内，则说明每次都有足够量的二氯乙烯通进所述氧化炉管内。本发明通过直接监测DCE的重量是否减少来确保DCE送入氧化炉管内，消除了传统技术中通过监测N2的流量而间接地监测DCE是否送入氧化炉管所隐藏的不确定因素，保证了DCE能够有效去除SiO2生长过程的杂质离子，确保了SiO2的薄膜质量。 |
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