| 专利名称 | 一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法 | 申请号 | CN201210296056.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102784615A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 张腾;古宏伟;丁发柱;屈飞;戴少涛 | 主分类号 | B01J20/10(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J20/10(2006.01)I;B01J20/28(2006.01)I;B01J20/30(2006.01)I;C02F1/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法 至一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法。首先采用水热法制备Fe3O4纳米粒子，随后通过四乙氧基硅烷（TEOS）的水解反应制备具有致密硅壳层结构的磁性纳米粒子Fe3O4@SiO2，最后以Cu2+离子为模板离子、含氮硅烷化试剂（aapts,H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Si(OMe)3）为功能单体、十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为致孔剂、TEOS为交联剂在Fe3O4@SiO2表面沉积多孔Cu2+离子印迹硅胶层，所得的磁性铜离子印迹材料可对Cu2+离子进行快速选择性富集、且具有优异的再生性能和耐酸性能。 |
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