| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201090000826.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202585421U | 公开（授权）日 | 2012.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/41(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/41(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括半导体衬底(101)；外延半导体层，外延半导体层位于半导体衬底上方的两侧位置；栅极，所述栅极位于半导体衬底上方的中间位置并且与外延半导体层相邻，和侧墙(107)，所述侧墙位于外延半导体层上方和所述栅极两侧，其中，所述栅极包括栅极导体层(111)和夹在栅极导体层和半导体衬底之间并在侧面环绕栅极导体的栅极电介质层(110)。该半导体结构的制造方法包括利用牺牲栅极在外延半导体层中形成抬高的源/漏区(121a，121b)的步骤。该半导体结构及其制造方法可用于简化超薄SOI晶体管的制造工艺和减小其导通电阻和功耗。 |
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