| 专利名称 | MOSFET结构及其制作方法 | 申请号 | CN201010242722.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102347357A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | MOSFET结构及其制作方法 至MOSFET结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种MOSFET结构及其制作方法。该MOSFET结构包括：半导体衬底；栅堆叠，位于所述半导体衬底上，所述栅堆叠包括在半导体衬底上依次形成的高k栅介质层和栅极导体层；第一侧墙，至少环绕所述高k栅介质层的外侧，并由含La氧化物形成；第二侧墙，环绕所述栅堆叠和第一侧墙的外侧，并比所述第一侧墙高。本发明的实施例适用于集成电路制造。 |
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