| 专利名称 | 一种基于氧化铝模板的单晶金属纳米线阵列的制备方法 | 申请号 | CN201110097428.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102732963A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 陈乾旺;李牣 | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B29/52(2006.01)I;C30B7/14(2006.01)I;C30B30/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种基于氧化铝模板的单晶金属纳米线阵列的制备方法 至一种基于氧化铝模板的单晶金属纳米线阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高度有序的单晶金属纳米线阵列的制备方法，在有或无磁场诱导下利用氧化铝模板底层残留的铝还原电极电位高于铝的金属的盐溶液，当在磁场诱导时在较低温度(120-180℃)的溶剂热条件下合成单晶金属纳米线阵列。该方法的优点是：工艺简单、绿色环保。该单晶金属纳米线阵列的优点在于：高度有序、直径和周期可控、良好的磁各向异性；良好的磁各向异性使得此纳米阵列在高密度磁存储介质材料方面有良好的应用前景。 |
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