| 专利名称 | 一种对纳米尺度元件进行套刻的方法 | 申请号 | CN201110087449.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102736432A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种对纳米尺度元件进行套刻的方法 至一种对纳米尺度元件进行套刻的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对纳米尺度元件进行套刻的方法，该方法包括：制作波带片所需镂空衬底；采用第一次电子束直写在该镂空衬底上形成所需的对准标记和图形A，显影之后电镀形成对准标记和图形A的金层，然后去除电子束光刻胶形成所需图形；以及采用第二次电子束直写在形成的所需图形的基础上，根据对准标记形成更加精密的图形，显影后电镀，形成图形B。相对于传统纳米制造工艺，利用本发明提供的纳米尺度元件的套刻工艺方法做出的元件，具有更大的分辨率，能有更密集的线条，在高精度的元器件应用方面有广阔的前景。 |
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