| 专利名称 | 一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201210200142.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102800457A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 张昀;张健;刘平;闫阿儒 | 主分类号 | H01F10/16(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F10/16(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法 至一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种基底材料表面的Sm-Co基永磁薄膜，所述的基底材料与Sm-Co基永磁薄膜之间是缓冲层，所述的Sm-Co基永磁薄膜厚度为0.1um～100um，所述的缓冲层是钨薄膜层，其厚度为10nm～200nm。与现有技术中所采用的铬作为缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜相比，本发明提供的具有钨缓冲层的Sm-Co基永磁薄膜具有薄膜质量好，与基底材料表面的附着力强，经过800℃高温退火处理后，薄膜不脱落，具有良好的应用前景。 |
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