| 专利名称 | 利用电磁倏逝波辐照度的脉冲响应时间测量介质损耗的方法 | 申请号 | CN201110139404.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102798611A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李伟;蒋寻涯 | 主分类号 | G01N21/41(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/41(2006.01)I;G01N22/00(2006.01)I | 专利有效期 | 利用电磁倏逝波辐照度的脉冲响应时间测量介质损耗的方法 至利用电磁倏逝波辐照度的脉冲响应时间测量介质损耗的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用电磁倏逝波辐照度的脉冲响应时间测量介质损耗的方法，包括步骤：1）在预先给定频率范围的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找折射率已知并且折射率实部大于待测介质的光密介质，并把光密介质和待测介质构成全反射系统；3）用预先给定频率范围的电磁波从光密介质向待测介质入射，并调节入射角度，使电磁波在光密介质和待测介质的界面处发生全反射，并在待测介质内部产生倏逝波；4）调节上述入射电磁波的功率，使之产生很小的脉冲，同时测量倏逝波的辐照度对该脉冲的响应时间；根据该脉冲响应时间来计算待测介质折射率的虚部。该测量方法不仅能无损反复进行，还可实现超高精度的测量。 |
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