| 专利名称 | 一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法 | 申请号 | CN201210211532.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102732848A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 黄志明;周炜;徐晓峰;吴敬;张雷博;褚君浩 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法 至一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法，应用该法，可制备出大面积、致密性良好的MCN薄膜。相比溶胶-凝胶法制备的多晶MCN薄膜，该法参数控制更精确，制备出的薄膜致密度更高，且薄膜呈（110）高度择优取向。利用该法制作的MCN薄膜，可用于制造线列及面阵热敏探测器件，以及制作微桥结构和顶底电极结构热敏探测器件。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障