| 专利名称 | 多结叠层电池及其制备方法 | 申请号 | CN201210203859.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102738292A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 郑新和;张东炎;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;杨辉 | 主分类号 | H01L31/078(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 多结叠层电池及其制备方法 至多结叠层电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种多结叠层电池，包括一衬底、一InGaN基电池膜层与一III-V族多结电池膜层，所述衬底置于所述III-V族多结电池膜层的裸露表面，所述InGaN基电池膜层与III-V族多结电池膜层之间通过键合方式以连接。本发明还提供一种多结叠层电池的制备方法，包括步骤：1）提供一第一衬底、一第二衬底；2）在所述第一衬底生长InGaN基电池膜层，在第二衬底上生长III-V族多结电池膜层；3）从InGaN基电池膜层上剥离第一衬底，剩下InGaN基电池膜层；4）将InGaN基电池膜层的任意裸露表面键合至III-V族多结电池膜层的裸露表面。 |
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