| 专利名称 | 电熔丝结构及其形成方法 | 申请号 | CN201010246391.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102347309A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 闫江 | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 电熔丝结构及其形成方法 至电熔丝结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种电熔丝结构及其形成方法，所述电熔丝结构设置于半导体基底上，所述半导体基底包括至少两个浅沟槽隔离，所述电熔丝结构包括：可熔导体层，在所述半导体基底上覆盖两个所述浅沟槽隔离的表面；阴极和阳极，位于所述可熔导体层之上，所述阴极和阳极分别位于两个所述浅沟槽隔离的上方。该电熔丝结构适用于更小尺寸的集成电路，并且可以与高k介质金属栅工艺兼容。 |
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