| 专利名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | 申请号 | CN201010242704.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102347277A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件结构及其制作方法 至半导体器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该方法包括：在半导体衬底上形成栅极线；环绕栅极线形成栅极侧墙；在栅极线的两侧，嵌入半导体衬底中形成源/漏区；环绕栅极侧墙形成导电侧墙；以及在预定区域切断栅极线、栅极侧墙和导电侧墙，切断的栅极线形成电隔离的栅极，切断的导电侧墙形成电隔离的下接触部。本发明的实施例适用于集成电路中接触部的制造。 |
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