| 专利名称 | 半导体结构及其制作方法 | 申请号 | CN201010240109.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102347349A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘佳;骆志炯;王鹤飞 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制作方法 至半导体结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体结构及其制作方法。其中该制作方法包括下列步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍片；向所述半导体衬底的表面和鳍片顶部注入氟离子；在所述半导体衬底的表面和鳍片表面形成氧化层，鳍片两侧的半导体衬底上以及鳍片顶部的氧化层的厚度远大于鳍片两侧的氧化层的厚度；刻蚀去除鳍片两侧的氧化层。本发明能将鳍片两侧的氧化硅层去除干净，提高了晶体管的电性能。 |
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