| 专利名称 | 一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法 | 申请号 | CN201110090926.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102738389A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦;张森;王艳 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法 至一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括上电极和下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的功能层薄膜，所述功能层薄膜为钛铝氧化物TiAlOx。本发明具有忆阻器特性的半导体器件具有与忆阻器相似的特性，结构简单，可以作为第四种无源电路元件的候选，同时采用了简单的制备工艺，降低了忆阻器的制作成本，因此具有产业化价值，有利于本发明的广泛推广和应用。 |
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