| 专利名称 | 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 | 申请号 | CN201110090483.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102737999A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 胡爱斌;许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 至锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法，包括：清洗锗片；在清洗后的锗片上采用射频磁控反应溅射的方法在氩气和氮气的氛围中依次淀积氮化硅薄膜和氮化铪薄膜，重复多次淀积多层氮化硅和氮化铪叠层；然后在氮气的氛围中快速热退火形成铪硅氧氮介质；然后采用射频磁控反应溅射的方法淀积金属电极材料并形成栅电极图形；源漏离子注入并激活退火形成重掺杂的源漏区域；淀积金属并形成源漏端的欧姆接触；最后在氮气的氛围中在炉管中退火金属化。本发明在铪基高介电常数介质中掺入硅元素，避免了在栅介质淀积后的退火和金属电极形成后的退火过程中生成含有大量缺陷态的锗的氧化物的问题，降低了界面处的固定电荷和电荷俘获。 |
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