| 专利名称 | 一种PN结结深测算方法 | 申请号 | CN201210212571.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102738030A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种PN结结深测算方法 至一种PN结结深测算方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：一种PN结结深测算方法，该方法包括以下步骤：a)测量阱区方阻；b)在阱区中形成结型场效应晶体管，改变栅极电压并测量源漏电阻；c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案通过电学测量对PN结结深予以测算，简单易行，可重复性好。 |
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