| 专利名称 | 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液 | 申请号 | CN201210324122.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102827549A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王良咏;刘卫丽;宋志棠 | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液 至一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明关于一种化学机械抛光液，尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化物抛光颗粒0.2-50wt%；盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1-5wt%，n=1、2或3；螯合剂0.05-5wt%；余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液，通过盐组份及螯合剂的独特组合，在适当的pH的条件下，大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。 |
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