| 专利名称 | 基于超临界二氧化碳微乳液干燥的装置及方法 | 申请号 | CN201010242153.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102345968A | 公开（授权）日 | 2012.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;景玉鹏 | 主分类号 | F26B5/16(2006.01)I | IPC主分类号 | F26B5/16(2006.01)I | 专利有效期 | 基于超临界二氧化碳微乳液干燥的装置及方法 至基于超临界二氧化碳微乳液干燥的装置及方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于超临界二氧化碳微乳液的干燥装置及方法，利用液态二氧化碳置换水基清洗液，然后加入表面活性剂并加热二氧化碳使其达到超临界态对光刻胶或MEMS中的微结构等进行干燥。该方法由于避免了气液界面的产生和防止了表面张力的作用，可以对高深宽比或多孔结构等进行清洗和干燥而没有损伤。与目前超临界二氧化碳干燥方法相比，该方法不需使用有机溶液，因此不会对光刻胶等造成破坏；而且干燥时间大大降低，可以有效防止图形塌陷的问题。该方法符合国际半导体技术蓝图中有关减少有机溶液消耗和节约能源等要求，并且易与目前的IC工艺兼容。 |
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