| 专利名称 | 硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法 | 申请号 | CN201210308854.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820391A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 许兴胜;李成果 | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 专利有效期 | 硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法 至硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种硅基上的近红外量子点电致发光的器件，包括：一衬底；一氧化层制作在衬底上，该氧化层为二氧化硅薄膜，其通过分担电压，平衡电子和空穴的注入；一发光层制作在氧化层上，该发光层为近红外发光的胶体量子点；一电子传输层制作在发光层上，该电子传输层可以传输电子，提高电子载流子注入效率；一金属电极制作在电子传输层上，该金属电极用于向发光层注入电子；其中所述衬底、氧化层、发光层、电子传输层和金属电极为平板波导结构或为脊形波导结构，所述脊形波导结构的衬底为凸字形，中间有一凸台，所述氧化层、发光层、电子传输层和金属电极均制作在衬底的凸台上。本发明具有发光频率可调谐，且材料容易获得，制作成本低廉和工艺简单的优点。 |
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