一种细长型的碲镉汞单元探测器

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专利名称 一种细长型的碲镉汞单元探测器 申请号 CN201020202552.8 专利类型 实用新型 公开(公告)号 CN201689901U 公开(授权)日 2010.12.29 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 王妮丽;刘诗嘉;赵水平;兰添翼;许金通;姜佩璐;朱龙源 主分类号 H01L31/08(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/08(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 专利有效期 一种细长型的碲镉汞单元探测器 至一种细长型的碲镉汞单元探测器 法律状态 授权 说明书摘要 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元探测器,该探测器包括在碲镉汞薄片上,通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻,而且对光不产生响应。为了达到这个效果,电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质,并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是:探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻,而且对光没有响应。

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