| 专利名称 | 延长焦深的并行激光直写装置 | 申请号 | CN201110187540.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102338989A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 周常河;余俊杰;贾伟;麻健勇;曹武刚;王少卿 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;B23K26/06(2006.01)I | 专利有效期 | 延长焦深的并行激光直写装置 至延长焦深的并行激光直写装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种延长焦深的并行激光直写装置，特点在于其构成包括：输出平面激光束的激光器，沿该平面激光束方向依次是1×N达曼光栅、第一透镜、振幅型空间滤波板、第二透镜、反射镜、孔径光阑、延长焦深相位延迟板、聚焦物镜、自聚焦伺服系统和二维移动平台。本发明装置可以显著提高激光直写装置的加工速率，可以明显降低对聚焦伺服系统的要求，进一步提高了激光直写速率和增大了激光直写的光刻面积。在低成本、高速大面积激光直写方面有重要的实用价值。 |
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