| 专利名称 | 纳米柱发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201210180419.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102709410A | 公开（授权）日 | 2012.10.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 纳米柱发光二极管的制作方法 至纳米柱发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种纳米柱发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延u-GaN层、n型GaN层、二氧化硅掩蔽层和聚苯乙烯球；采用加热和ICP的方法，刻蚀聚苯乙烯球；采用加温处理，使聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层的表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；在其上蒸金属；去除聚苯乙烯球表面的金属；采用加热处理和刻蚀二氧化硅掩蔽层；酸液腐蚀去掉金属掩膜，形成二氧化硅纳米孔状阵列结构；在其上依次外延MQW层、EBL层和p-GaN层，形成基片，在基片上生长ITO透明电极；分割成小芯片，将小芯片置于BOE溶液中超声时间为80s，使二氧化硅纳米孔状阵列结构的二氧化硅掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成器件的制备。该方法使用自组装技术，工艺简单，技术先进，有利于大规模生产。 |
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