| 专利名称 | 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 | 申请号 | CN201010233999.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102338846A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵妙;王鑫华;刘新宇;郑英奎;李艳奎;欧阳思华;魏珂 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 至一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，属于半导体器件技术领域。所述方法：搭建用于测量GaN基HEMT器件低频噪声的测试平台；利用测试平台测量GaN基HEMT器件的低频噪声曲线；对低频噪声曲线进行分析，获得表征GaN基HEMT器件的低频噪声特性参数。本发明通过搭建用于GaN基HEMT器件低频噪声测试的测试平台，对器件的低频噪声特性进行相应的测量，结合已有的低频噪声模型，通过一系列的拟和分析，获得器件的低频噪声特征参数，实现对器件可靠性的评价。 |
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