| 专利名称 | 一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 | 申请号 | CN201220038888.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202465955U | 公开（授权）日 | 2012.10.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 吴少凡;叶宁;苏伟平 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 至一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备，其特征在于：所所述生长设备在原料熔化阶段通过三温区独立控制，将上温区分为上a温区和上b温区，上温区温度比晶体的熔点高，且上b温区的温度略高于上a温区；所述生长设备中的晶体生长位置，预埋有透明石英光纤；通过测量透明光纤中的氦氖激光的光损耗变化情况，来确定自发成核的籽晶经过筛选后是否单晶化。 |
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