| 专利名称 | 一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法 | 申请号 | CN201010238835.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339756A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 于爱芳;江鹏;郜展;李宏宇;唐浩颖 | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 专利有效期 | 一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法 至一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法。该修饰方法，包括以下步骤：1)配制ZnO前驱体溶液；2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中，再放入烘箱中反应，以在所述ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层，其中所述烘箱中的反应温度为75℃～90℃。该修饰方法不仅增加了ZnO薄膜晶体管输出电流和迁移率，而且制备过程简单、无需高温、可控性好，适合于基于柔性衬底的器件制备，为开发大面积柔性平板显示提供了一种新的途径。 |
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