| 专利名称 | 倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法 | 申请号 | CN201210213314.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102723404A | 公开（授权）日 | 2012.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张瑞英;董建荣;杨辉 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法 至倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法，其利用高深宽比位错捕获技术实现GaAs材料上InP外延以及GaAs系和InP系电池的单片集成，并通过倒置生长在GaAs衬底上实现GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs多结电池，其后通过层转移技术和衬底剥离技术将其转移到更加廉价衬底，获得了具有较高光电转换效率的高性价比太阳能电池。本发明方法易于实施，成本低廉，能实现III-V多结太阳能电池的规模化生产。 |
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