| 专利名称 | 化合物氟硼酸钡非线性光学晶体及其制备方法和用途 | 申请号 | CN201010231415.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102337586A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;吴红萍;侯雪玲 | 主分类号 | C30B19/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B19/10(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 化合物氟硼酸钡非线性光学晶体及其制备方法和用途 至化合物氟硼酸钡非线性光学晶体及其制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种化合物氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Ba4B11O20F，分子量1007.27，属正交晶系，空间群Cmc21，晶胞参数为其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的10倍，紫外截止边约为170nm。采用固相反应法合成化合物及高温熔液法生长晶体的方法制备氟硼酸钡非线性光学晶体，该晶体机械硬度较大，易于切割、抛光加工和保存，在作为制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。 |
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