| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201190000069.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202487556U | 公开（授权）日 | 2012.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种半导体结构，包括，第一、第二和第三层间结构。所述第一层间结构包括第一介质层（300）和第一接触塞（320），所述第一介质层（300）与栅极堆叠平齐或覆盖所述栅极堆叠，所述第一接触塞（320）贯穿所述第一介质层（300）且电连接于至少部分源/漏区（110）；所述第二层间结构包括盖层（400）和第二接触塞（420），所述盖层（400）覆盖所述第一层间结构，所述第二接触塞（420）贯穿所述盖层（400）并经第一衬层电连接于所述第一接触塞（320）和所述栅极堆叠；所述第三层间结构包括第二介质层（500）和第三接触塞（520），所述第二介质层（500）覆盖所述第二层间结构，所述第三接触塞（520）贯穿所述第二介质层（500）中并经第二衬层电连接于所述第二接触塞（420）。还提供了一种半导体结构的制造方法，利于节约面积以提高半导体结构的集成度。 |
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